第一节 上游 行业 发展状况 分析
蓝宝石晶体是氧化铝（Al2O3）最基本的单晶形态。我国具有较丰富的铝土矿资源，迄今已探明保守储量位居世界第4，具备发展氧化铝工业的资源条件。我国氧化铝2008年及2009年一季度的产量情况如下：
2008—2009年第一季度中国氧化铝产量 单位：千吨
第二节 下游产业发展情况 分析
蓝宝石（Al2O3）晶体是现代工业重要基础材料。除被军用红外装置、导弹、潜艇、卫星空间技术、探测和高功率强激光等尖端科技广泛应用外，它还为微电子、光电子，半导体、光通信、信息显示、精密机械、国防军事及国内外重大科学工程等众多热点领域技术发展，尤其是蓝（白）光LED照明产业提供了窗口材料。
中国LED市场持续扩大，于2006年达到了146亿元。1997～2006年的年平均增长率高达29％。支撑中国LED 市场发展 的是名为高亮度LED的品种。该品种在2002～2006年的年平均增长率更高，达到35％，2006年高亮度LED市场的规模为90亿元。高亮度LED中，有40％的应用途径为背照灯光源。
从蓝色LED和白色LED等高附加值品种的GaN类LED来看，中国2006年的国产比例为30％。中国GaN类LED的供货量正在逐年递加，生产规模从2003年阶段的每月6500万个扩大到了2006年的每月6亿个，到2010年预计还将达到每月16亿5000万个，超过日本，成为全球第2大GaN类LED生产国。
LED完整产业链条分为LED外延片，LED芯片，LED封装，LED应用。估计到2010年，整个中国LED产业产值将超过1500亿元。LED产业链中，LED外延片跟LED芯片大概占 行业 70%的利润，LED封装大概10%~20%，LED应用大概10%~20%。
2007年我国应用产品产值已超过300亿元，已成为LED全彩显示屏、太阳能LED、景观照明等应用产品世界最大的生产和出口国，新兴的半导体照明产业正在形成。
2007年我国LED封装产量变化
2008年我国LED产业总体保持了较为良好的发展势头，虽然受到全球金融危机的影响，但仍然是全球发展速度最快的国家，在全球的产业地位不断提升。
2008年，我国LED芯片的国产化率有所提升，达到了49%，其中国产小功率GaN芯片达到130亿只，国产化率41%，但功率型GaN芯片国产化率仅接近20%。我国大陆已成为全球第三大GaN芯片生产基地，但仍以中低端为主。
2008年我国LED封装产值达到185亿元，较2007年的168亿元增长10%；产量则由2007年的820亿只增加15%，达到940亿只，其中高亮LED产值达到140亿元，占LED总销售额的76%。同时从产品和企业结构来看国内也有较大改善，SMD和大功率LED封装增长较快。2008年台湾LED产值为609亿新台币，比起2007年，成长率达13%。其中，手机与导航装置是主要应用，约占所有应用的29%。
2009年台湾LED产值将成长7%，高于全球的5%。主要原因在于液晶电视与笔记型计算机对于LED背光模块的需求。目前，深圳市已聚集了700多家各类LED企业，年产值规模首度超过180亿元，已一跃成为全球LED背光源主要生产、供应基地和全国最大LED产业基地。
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