第一节 溅射靶材产品定义及基本属性
一、产品定义、性能
1、产品定义
磁控溅射镀膜是一种新型的物理气相镀膜方式，较之较早点的蒸发镀膜方式，其很多方面的优势相当明显。作为一项已经发展的较为成熟的技术，磁控溅射已经被应用于许多领域。
溅射是制备薄膜材料的主要技术之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料，称为溅射靶材。
磁控溅射镀膜靶材：
金属溅射镀膜靶材，合金溅射镀膜靶材，陶瓷溅射镀膜靶材，硼化物陶瓷溅射靶材，碳化物陶瓷溅射靶材，氟化物陶瓷溅射靶材，氮化物陶瓷溅射靶材，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷溅射靶材，硅化物陶瓷溅射靶材，硫化物陶瓷溅射靶材，碲化物陶瓷溅射靶材，其他陶瓷靶材，掺铬一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化铟靶材(InP)，砷化铅靶材(PbAs)，砷化铟靶材(InAs)。
高纯高密度建设靶材有：
溅射靶材（纯度：99.9%-99.999%）
1.金属靶材：
镍靶、Ni、钛靶、Ti、锌靶、Zn、铬靶、Cr、镁靶、Mg、铌靶、Nb、锡靶、Sn、铝靶、Al、铟靶、In、铁靶、Fe、锆铝靶、ZrAl、钛铝靶、TiAl、锆靶、Zr、铝硅靶、AlSi、硅靶、Si、铜靶Cu、钽靶T、a、锗靶、Ge、银靶、Ag、钴靶、Co、金靶、Au、钆靶、Gd、镧靶、La、钇靶、Y、铈靶、Ce、钨靶、w、不锈钢靶、镍铬靶、NiCr、铪靶、Hf、钼靶、Mo、铁镍靶、FeNi、钨靶、W等。
2.陶瓷靶材
ITO靶、氧化镁靶、氧化铁靶、氮化硅靶、碳化硅靶、氮化钛靶、氧化铬靶、氧化锌靶、硫化锌靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化铈靶、二氧化锆靶、五氧化二铌靶、二氧化钛靶、二氧化锆靶，、二氧化铪靶，二硼化钛靶，二硼化锆靶，三氧化钨靶，三氧化二铝靶五氧化二钽，五氧化二铌靶、氟化镁靶、氟化钇靶、硒化锌靶、氮化铝靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化钛靶，碳化硅靶，铌酸锂靶、钛酸镨靶、钛酸钡靶、钛酸镧靶、氧化镍靶、溅射靶材等。
2、产品性能要求
1）纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子 行业 的迅速发展，硅片尺寸由6”,8“发展到12”,而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
2）杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
3）密度
为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。
4）晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。
二、产品所属 行业 界定
溅射靶材是利用一种新的镀膜方式，对金属表面进行镀膜，因此该 行业 属于半导体及集成电路配套材料，也就是信息化学品制造业。
信息化学品制造指电影、照相、医用、幻灯及投影用感光材料、冲洗套药，磁、光记录材料，光纤维通讯用辅助材料，及其专用化学制剂的制造。
第二节 溅射靶材产品应用概况
一、产品主要应用领域
溅射靶材产品应用情况列表
二、产品应用成熟度 分析
各种类型的溅射薄膜材料无论在半导体集成电路、记录介质、平面显示以及工件表面涂层等方面都得到了广泛的应用。因此，对溅射靶材这一具有高附加值的功能材料需求逐年增加。近年来我国电子信息产业飞速发展，集成电路、光盘及显示器生产线均有大量合资或独资企业出现，我国已逐渐成为了世界上薄膜靶材的最大需求地区之一，溅射靶材产品的应用已经较为成熟。
第三节 溅射靶材产品发展历程
1842年格洛夫在实验室中发现了阴极溅射现象，但随后70年中，对溅射机理的认同以及有关溅射薄膜特性的技术发展缓慢。19世纪中期，只是在化学活性极强的材料、贵金属材料、介质材料和难熔金属材料的薄膜制备工艺中采用溅射技术。
1970年后出现了磁控溅射技术，商品化的磁控溅射设备陆续应用于实验和小型生产。到了上世纪80年代，溅射技术才从实验室应用技术真正地进人工业化大量生产的应用领域。最近15年来，进一步发展了一系列新的溅射技术，目前溅射技术以及薄膜制备是金属材料学 研究 的一大热点。
金属和合金作为溅射靶材在电子电工和光学领域中有很多的应用，靶材是溅射过程中的基本耗材，不仅使用量大而且靶材质量的好坏对金属薄膜材料的性能起着至关重要的决定作用。因此，靶材是溅射过程的关键材料。近几年来，溅射靶材(Sputte-ring Targets)已经引起国内金属相关产业的高度关注，特别是高纯金属靶材的研制与使用已成为 研究 热点之一。
第四节 政策、法规环境 分析
一、 行业 基本政策方向 分析
超高纯铝靶材项目申请指南发布：
“十一五”期间，我国“国家高技术 研究 发展计划（863计划）新材料技术领域“大尺寸超高纯铝靶材的制造技术”重点项目申请指南”要求达到的目标是：通过超高纯铝及铝合金靶材制备加工过程中的关键技术攻关，全面掌握应用于大规模集成电路制造和TFT-LCD制造的大尺寸超高纯铝及铝合金靶材的制备加工技术；制备出满足大规模集成电路制造用和TFT-LCD使用要求的超高纯铝及铝合金靶材产品；为在我国形成一个从超高纯铝精炼提纯到靶材加工的完整产业链提供关键技术支撑。
二、2005-2009年 行业 重点政策、法规
1、北京科技工作计划支持电子信息相关材料及器件的发展
北京科技工作主题计划项目（课题）建议征集指南(2009年度）明确支持电子信息相关材料及器件。重点支持极大规模集成电路用关键材料和配套材料技术、新型激光器用关键材料及器件的制备技术、新一代光电显示用关键材料及器件的制备技术等。
2、山东省关于促进集成电路产业加快发展的指导意见（2009-2011年）
1）发展目标。经过3-5年的发展，基本建立和完善有利于我省集成电路产业发展的政策环境、支撑体系和服务体系。建成20-30家集成电路设计中心，2个集成电路设计产业化基地；争取引进2-3家集成电路芯片制造和封装测试企业，建设拥有国际先进水平的集成电路生产线、测试封装线；形成一大批集成电路设计企业，集成电路生产制造、封装、测试企业，集成电路应用和集成电路生产设备、外围配套材料和配套件企业，投资、担保、咨询、人才培养、培训等服务企业。政府支持集成电路产业发展的能力和社会融资能力进一步增强；对外吸引和接纳人才、技术、资金、企业的能力进一步提高；集成电路设计、制造、封装测试对促进我省信息产业发展、传统产业改造和提升国民经济与社会信息化水平发挥更大作用，并成为我省信息产业发展和综合竞争力提升的重要支撑；促进集成电路材料产业做大做强，形成国内重要的产业基地；带动以金融、咨询、教育培训为中心的现代服务业发展。
2）发展重点
（1）加快集成电路公共服务平台建设。按照政府主导建设，社会共建共享，市场化运作模式，加大政府投入和政策扶持力度，广泛吸收社会和国际资本，建设对社会开放的集成电路公共服务平台。公共服务平台包括公共设计技术服务平台、测试平台、 行业 协作服务平台和人才交流培训平台等，为广大集成电路设计企业和创业人才提供良好的EDA设计工具，测试环境和手段，技术、投资、市场、法律咨询，人才培训等方面的支撑和条件，降低进入门槛和创业成本，吸引企业和人才进驻，形成产业聚集。鼓励有条件的地区或产业开发区、软件园区建设集成电路公共服务平台。重点推动济南、青岛两地集成电路公共服务平台建设，形成发展优势，同时为当地企业和高校集成电路人才培养、培训提供良好的环境和支撑。
（2）加快集成电路设计中心和设计基地建设。在目前认定的山东大学、浪潮集团等8家集成电路设计中心基础上，大力吸引国内外集成电路设计人才、技术、企业、团队来山东创业发展，建成20-30家集成电路设计中心；重点培植3-5家国家级集成电路设计中心，使之成为在国内外有影响力的企业；加快济南、青岛两地集成电路设计产业化基地建设；完善促进集成电路产业发展的配套政策和措施。密切跟踪国际集成电路发展的新趋势，不断提高自主创新能力，在消费类电子、通信、计算机、工业控制、数字化仪表(包括水、电、煤、气)、汽车电子、船舶电子、机床电子、医疗电子和各类IC卡、RFID应用等电子产品领域形成发展优势。
（3）支持重点产品的开发和产业化。面向高清晰度数字电视、移动通信、计算机及网络、电子家电、信息安全、工业控制、智能卡及电子标签、汽车电子等市场需求大的产品领域，引导芯片设计与应用结合，加大对重点领域专用集成电路(ASIC)的开发力度，重点开发数字音视频相关信源、信道芯片、图像处理芯片、移动通信终端基带芯片、高端通信处理芯片、计算机存储芯片、信息安全芯片、税控收款机等嵌入式终端产品的SOC芯片、汽车电子控制芯片、数字化仪表用芯片、各类IC卡及电子标签、手机、数码相机、掌上电脑、USB存储盘、MP系列产品用闪存卡等量大面广的产品，形成一批拥有核心技术的企业和具有自主知识产权的产品。
（4）加快推动集成电路生产线建设。以国际合作为突破口，加大招商引资力度，通过与国际主流厂商全方位战略合作，实现生产、管理、技术和产品等各个环节的跨越式发展。在合作模式上，以与国际知名的专业化大公司合资或吸引其到山东独资发展为主要模式；在地点上，以在山东建设12英寸集成电路生产线为目的；在技术上，以65nm以下生产工艺为主导；在产品领域上，以Flash Memory和Dram产品为首选。注重对引进技术的消化吸收和再创新，促进设计业、制造业的协调互动。制定积极的政策鼓励国内外厂商针对各类不同的产品领域在山东独立建厂或发展代工厂。努力推动具有国际先进水平的集成电路生产线建设。
（5）积极发展封装测试业。巩固山铝电子、淄博凯胜电子、淄博美林电子、济南晶恒、日月光半导体(威海)有限公司在各自封装测试领域的优势，支持淄博科讯集成电路测试有限公司扩大晶圆测试能力。面向国际封装测试业务和省内配套，积极引进封装测试企业，重点发展系统封装(SiP)、芯片倒装焊(Flip chip)、球栅阵列封装(BGA)、芯片级封装(CSP)、多芯片组件(MCM)等先进封装技术，积极发展柔性集成电路封装、混合集成电路封装、内存条封装、各类IC卡、RFID芯片封装，扩大产业规模，提高封装、测试技术、能力和水平。
（6）积极推动集成电路装备制造业及配套材料、配套件等支撑产业的发展。以部分关键设备、材料为突破口，发挥我省优势，重视基础技术 研究 和引进技术消化吸收再创新，加快产业化进程。鼓励有条件的地区和企业通过创新、引进技术消化吸收再创新、合资合作或外商独资从事集成电路关键生产装备、后封装设备、材料和配套件的研发和生产。充分利用我省现有集成电路材料生产企业的基础条件，进一步壮大产业规模，扩大产品系列，提高产品性能和档次。重点发展集成电路用金丝、硅铝丝、引线框架、插座、封装材料等产品，同时注重铜箔、覆铜板、电子陶瓷基片、硅晶体材料及其深加工等产品的发展，形成国内重要的集成电路材料研发和生产加工出口基地，鼓励集成电路专用设备仪器产业的发展，提高支撑配套能力，把我省建设成为国内重要的集成电路支撑产业基地。
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