第一节 上游 行业 发展状况 分析
LGS的生长原料为La2O3、Ga2O3和SiO2,是一个三元氧化物体系。
1、La2O3(氧化镧)白色无定形粉末,易溶于酸而生成相应的盐类。主要用于制造制特种合金精密光学玻璃、高折射光学纤维板,适合做摄影机、照相机、显微镜镜头和高级光学仪器棱镜等。
2009年1-6月氧化镧进出口统计
单位:千克
年月 | 进口数量 | 出口数量 | 进口美元 | 出口美元 |
2009年1月 | 11 | 320250 | 95 | 2747376 |
2009年2月 | 358 | 18100 | 4958 | 149415 |
2009年3月 | 5404 | 12300 | 18349 | 76355 |
2009年4月 | 4168 | 83650 | 30087 | 776732 |
2009年5月 | 3526 | 68150 | 15597 | 327141 |
2009年6月 | 106 | 172950 | 11907 | 774327 |
2、SiO2又称硅石。在自然界分布很广,如石英、石英砂等。白色或无色,含铁量较高的是淡黄色。国内SiO2开发应用由粗加工向深加工发展,尤其是纳米技术的渗入以及硅电子光学产品的开发,加速了SiO2产品的发展。现阶段SiO2开发应用产品主要有:纳米陶瓷等超细纳米化产品、氮氧化硅粉末、分子筛、耐高温硅酸钙保温材料、新型精铸用石粉涂料等。
2006年,我国气相法二氧化硅总能力为3500吨,实际产量2300吨。市场表观需求总量约17300吨,其中需进口15000吨,进口依存度86.7%。2007年由于国外气相法二氧化硅生产装置大规模的进入国内,国内气相法二氧化硅工业将面临极大的发展压力与生存考验。2006年国内新建生产装置19600吨。其中美国、德国生产装置占新装置总生产能力的70.4%。
从出口来源看,二氧化硅出口主要集中在日本、韩国、美国和越南,对这四个国家和地区出口量2005年占总出口量的44%,2004年为49.05%。从进口来源看,二氧化硅进口主要来源于日本、美国、台湾、德国和韩国等国家和地区。
第二节 下游产业发展情况 分析
有旋光性非线性材料硅酸镓镧晶体是一种新型电光晶体,可用作电光调制器,调制信号稳定。硅酸镓镧晶体是新一代表面声波(SAW)和体声波(BAW)器件材料。
1、表面声波(SAW)器材
早期的SAW的主要应用领域是电视机为主导的视听类电子产品。移动通信产业的发展使SAW器件的市场主体发生了重大转移。目前已发展到包括SAW滤波器、谐振器、延迟线、相关器、卷积器、移相器和存储器等在内的100余个品种。
早期SAW滤波器的主要应用领域就是以电视机为代表的视听家电产品,20世纪80年代末,由于电子信息特别是通信产业的高速发展,为SAW滤波器提供了一个广阔的市场空间,致使其产量和需求呈直线上升趋势。目前世界SAW滤波器的年产量在6亿只以上,其中移动通信等用小型化RFSAW滤波器就达4.3亿只。
随着Internet的迅猛发展,全球上网用户愈来愈多,不少商家均在开发基于CATV网的宽带多媒体数据广播系统(如VOD等),通过CATV上网可使信息传输速度提高几十倍以上,在这些系统中都要用到高性能的SAW滤波器来解决邻频抑制问题。SAW滤波器的市场前景十分可观。
2、体声波(BAW)器件
在无线市场中,用于CDMA和UMTS手机的体声波(BAW)滤波器增长迅速,09年上半年这种器件的出货量将增长50%以上。
2009年,英飞凌科技推出了适用于UMTS/W-CDMA手机的双工滤波器NWX2015CR和NWX2015CT,据称是全球首款采用WLP(晶圆级封装)工艺生产的BAW(体声波)滤波器,它们可降低3G手机的生产成本和主板空间占用量。
英飞凌已向领先的手机制造商和射频模块厂商提供了1亿多只BAW滤波器。高速3G无线通信网络的开通,激发了用户对轻薄型3G手机的浓厚兴趣,继而推动了BAW滤波器市场需求的强劲增长。
预计手机BAW滤波器细分市场的增长率是整体手机市场的四倍,2010年全球双工滤波器的销量将达到9亿多只,是2005年的三倍以上。
3、压电晶体元器件
自2001年以来,我国电子元件产量年均增速都在两位数以上。2004年我国压电晶体器件同比增长38%。
据不完全统计,2007年压电晶体元器件总产量为75亿只,销售收入70亿元,元器件的产量与销售收入分别是1987年的227倍和51倍。水晶材料1200吨,是1987年的8倍。
据海关统计,2007年全国压电晶体元器件出口额为9.06亿美元,进口额为20.27亿美元。进出口贸易总额近30亿美元,贸易逆差11.2亿美元,而且这种逆差仍在逐年加大。水晶材料进口751吨,出口40吨。全球晶体市场从2005年开始到2007年年底一直保持快速增长态势。2008年压电晶体元器件市场需求增长在10%左右。预计“十一五”期间我国压电晶体产业将以年递增15%-25%的速度发展。
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