工业可控硅技术工艺发展分析(可行性报告样本)

第一节 工业可控硅基本生产技术、工艺或流程

平板型大功率晶闸管工艺流程

全压接高压平板型晶闸管工艺流程

第二节 行业 技术水平

国内部分先进企业生产的晶闸管、模块等大功率半导体器件在技术水平上已经接近欧美日先进企业水平，但在产品一致性、可靠性、成品率等质量水平上与国外尚有一定差距；大功率IGBT、MOSFET等全控型器件的先进技术被欧美日少数国际巨头垄断（英飞凌、三菱、ABB等），在上述领域国内企业与其差距较大，国家正在组织相关科研院所及企业进行联合技术攻关。

目前，为提高竞争能力， 行业 骨干企业正在加快技术创新的步伐，采用新材料、新工艺，优化性能参数等办法，以缩小与国际先进水平差距。

第三节 行业 技术特点

本 行业 技术是半导体技术、电力技术、微电子技术交叉的综合学科，是技术密集的 行业 。其功能主要为提高电能运行效率，促进节约能源。

第四节 工业可控硅未来技术发展趋势

经过近十年的努力，我国的可控硅的电压和电流容量，性能以及产品的稳定性有了很大的提高，快速可控硅和高频可控硅也已试制成功。基于SCR的电源装置的研制范围迅速扩大，产品种类增多，涉及到变频调速、中频感应加热、400周电源、大容量开关电源，小型轻量化400kv高压电源、电火花加工电源、声纳电源、利用时分割电路的长波通信电源和甚低频导航发射机电源、固体化超生电源、步进马达控制器和超音频感应加热（30KW/40kHz）等。