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    光纤通信器件(可行性报告节选)(可行性报告模板)

    可研报告2018-09-30 09:04:43来源:

    第一节 光纤通信器件产品定义及基本属性

    一、产品定义、性能

    光纤通讯(Fiber-opticcommunication)也作光纤通信,是指一种利用光与光纤(opticalfiber)传递资讯的一种方式。属于有线通信的一种。光经过调变(modulation)后便能携带资讯。自1980年代起,光纤通讯系统对于电信工业产生了革命性的作用,同时也在数位时代里扮演非常重要的角色。光纤通信具有传输容量大,保密性好等许多优点。光纤通信现在已经成为当今最主要的有线通信方式。将需传送的信息在发送端输入到发送机中,将信息叠加或调制到作为信息信号载体的载波上,然后将已调制的载波通过传输媒质传送到远处的接收端,由接收机解调出原来的信息。

    根据信号调制方式的不同,光纤通信可以分为数字光纤通信,模拟光纤通信。光纤通信的产业包括了光纤光缆,光器件,光设备,光通信仪表,光通信集成电路等多个领域。

    光纤通信器件包括光有源器件和光无源器件。

    其中光有源器件包括:超晶格结构材料与量子阱器件、集成器件、发射激光器、光子探测器等。

    其中光无源器件包括:光纤活动连接器、光分路器(功分器)、光衰减器、光隔离器、环行器、色散补偿器、增益平衡器、光的上下复用器、光交叉连接器、阵列波导光栅CAWG等。

    二、产品所属 行业 界定

    光纤通信器件属于电子器件制造业中的光电子器件及其他电子器件制造。

    光电子器件及其他电子器件制造——指光电子器件、显示器件和组件,以及其他未列明的电子器件的制造。

    包括:电子束光电器件:光电管、光电倍增管、X射线图像增强管、电子倍增管、摄像管、光电图像器件;电真空光电子器件:显示器件、发光器件、光敏器件、光发射器件、光电耦合器件、红外器件、激光器件、光电开关传感器件、光集成器件;半导体光电器件:光电探测器件、发光二极管、半导体CCD摄像器件;光通信器件;装有集成电路的卡(智能卡)、磁卡、芯片卡、IC卡;其他未列明的电子器件及专用零件。

     

    第二节 光纤通信器件产品应用概况

    一、产品应用情况

    光纤通信器件应用情况列表

    器件 典型应用
    有源器件 将电信号转换成光信号或将光信号转换成电信号
    光无源器件 长距离通信、区域网络及光纤到户、视频传输、光纤感测等等

    二、产品应用成熟度 分析

    人类社会的信息化建设正在加速进行,即使是在全球经济发展不景气的情况下,通信和信息 行业 也十分红火。近年来全息技术在光通信器件中的应用逐渐引起人们的重视。光有源器件的 研究 与开发本来是一个最为活跃的领域,但由于前几年已取得辉煌的成果,所以当今的活动空间已大大缩小。超晶格结构材料与量子阱器件,目前已完全成熟,而且可以大批量生产,已完全商品化,如多量子阱激光器(MQW-LD,MQW-DFBLD)。

     

    第三节 光纤通信器件产品发展历程

    1、我国光纤通信发展情况

    中国于70年代初就开始了光纤通信的基础 研究 ;70年代末就进行了光纤通信系统现场试验;80年代主要进行实用化攻关,完成了武汉市话中继实用化工程、武汉-荆州多模光缆34Mbit/s省内干线工程,扬州-高邮、成都-灌县单模光缆34Mbit/s省内干线工程和合肥-芜湖140Mbit/s单模光缆一级干线工程,为大规模推广应用打下了基础;90年代初期,中国就开始了光纤通信的大量建设,市话中继、省内干线、国家干线,包括农村通信都用光缆逐渐取代电缆,建设了现代化的电信网,初步建成?quot;八纵八横"国家干线。这"八纵八横"干线主要是采用PDH140Mbit/s系统。随着市场的需要和技术的进步,逐渐采用了SDH622Mbit/s和2.5Gbit/s系统。国产8x2.5Gbit/sDWDM系统已用于济南-青岛一级干线,32x2.5Gbit/s系统也即将实用,10Gbit/sTDM系统也通过了实验室验收,2000年10Gbit/sSDH(光同步数字系列)进入实用化阶段。

    2、光有源器件发展情况

    光有源器件中国开展光有源器件的 研究 是从20世纪70年代开始的。当时西方国家根据所谓“巴统”规定,对中国进行高新技术的封锁和禁运,光有源器件亦在其中。于是中科院半导体所、武汉邮科院、电子部第44所、电子部第13所等单位,发扬“自力更生”的精神,研制了波长为850nm的所谓短波长光器件,如采用GaAlAs/GaAs材料同质结或异质结结构的LD和LED光源、Si—PIN检测器等。虽然现在来看这些器件的性能较差,但也满足了中国光通信起步阶段的需要。

    此后,这些单位又开发了波长为1310nm和1550nm的所谓长波长器件,如采用InGaAsP/In材料隐埋双质结构的半导体激光器、采用InGaAs/In材料的PIN检测器等。这些芯片本身的性能有了很大提高,但在研制初期,芯片与光纤之间采用环氧树脂进行粘结,所以器件的气密性能差、粘结强度小、光纤易移位,因而整个器件的性能和可靠性较差。后来采用全金属化的耦合封装工艺,器件的可靠性和寿命大大提高,满足了当时光通信日益发展的需要。

    1993年之前,中国光通信所需的光有源器件,基本上都是由国内生产商提供的,以致西方国家认识到在有源器件等方面再用“巴统”向中国进行技术封锁和禁运,反而失去中国的大市场,是得不偿失的,于是只得宣告“巴统”解散,国外的光有源器件开始大量涌入中国市场。



    免责申明:本文仅为中经纵横 市场 研究 观点,不代表其他任何投资依据或执行标准等相关行为。如有其他问题,敬请来电垂询:4008099707。特此说明。

     

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