第一节 上游 行业 发展状况 分析
最简单的减反射膜是单层介质膜，其折射率一般介于空气折射率和光学元件折射率之间，使用最普遍的介质膜材料为氟化镁。其次还有氧化铟锡、聚氧化丙烯醚等。
一、氟化镁发展状况
我国氟化盐已有50多年的发展历史。上世纪八十年代以前，国内无机氟化物的生产一直沿用前苏联的工艺和技术，工艺简单、设备落后、产品品种比较单一。八十年代以后，我国对无机氟化物产品的 研究 开发取得了长足的进展，特别是近年来，随着研发力度不断加大，氟化盐工艺和技术不断提高、产品品种不断增加，用途也在不断扩展。
2006年，全国氟化盐的生产企业已发展到30多家，总产能约为50万吨/年。中原和西北地区萤石资源丰富且铝冶炼工业较为发达，在这两个地区氟化盐生产企业分布较多（分别有8家和4家）,企业生产规模也较大。从总体上看，我国氟化盐的生产已基本具有了规模经济的特征。与此同时，经过多年的发展，我国氟化盐生产企业布局也日趋合理。
二、铟锡氧化物发展状况
目前世界上铟锭产量为250吨/年左右，50%以上是用于加工为ITO靶材后制造显示器件，仅日本用透明电极的铟锡氧化物耗铟占总耗铟量的56%。而且今后随着生产技术的发展以及人们环保意识的增强，光电设备的个人化、平面显示的超大型和异形化，并且全球数字化技术的快速发展，推动了移动通迅和卫星数字传输的高速发展，刺激了LCD等显示器件业的增长，使国际市场对ITO靶材的需求量成倍增长。而目前国内LCD生产厂约有40家，如果加上正在立项和建设的厂家，总数将达到100家左右，发展势头迅猛，对透明导电玻璃的需求量将大幅增长。因此近年国内对ITO靶材的需求量也将大幅度增长，国内开发生产ITO靶材更是刻不容缓。ITO靶材目前世界上只有日本、美国、德国等少数几个发达国家和地区能生产，生产工艺技术设备都已比较成熟和稳定。
第二节 下游产业发展情况 分析
减反射膜广泛用于各种光学元件的表面处理，例如照相机镜头上涂减反射膜后，绘画、展品、商店橱窗、各种信息和TV显示屏。
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。
一、2008年1—10月照相机 行业 发展状况
我国照相机 行业 的发展现状有如下特点：首先，产业构成表现为三资企业为主导的外向型 行业 ，目前共有86家三资企业，组成了照相机 行业 的中坚力量和出口的主要力量。其次， 行业 集中度高，企业规模逐渐加大，国家统计局公布的2002年的数字表明，在全 行业 中有47家企业生产相机4810万架，其中，年产量超过100万架的有14个企业，占企业总数30%，但占产量比重高达81%。第三，技术进步速度快，数码产品已占主导地位。据了解，目前全球的文化办公设备 行业 巨头如尼康、佳能、惠普等等向我国转移生产的势头不减，许多数码新技术、新产品在很短时间内就被引进，大量的数字化产品正成为 行业 产品主流。最后， 行业 界限淡化，跨 行业 发展趋势明显，国内IT 行业 的方正、紫光、联想以及家电 行业 的TCL、新科等企业都纷纷进军数码相机领域，传统 行业 格局逐渐被打破。
据统计,2008年1-10月我国照相机及其零部件出口额为3.91亿美元,比上年同期增长12.61%。10月,照相机及其零部件出口额为4126.8万美元。
重点产品出口数量和金额:2008年1-10月,一次成相照相机出口数量59.82万个，同比下降55.92%，出口金额为3684.4万美元，同比增长28.66%；照相机用其他已装配的光学元件出口数量7.98万个,,同比下降8.08%,出口金额为1892.3万美元,同比下降19.94%。
二、2008年电池 行业 发展状况
由于欧洲太阳能市场特别是德国市场的迅速扩大，以及无锡尚德太阳能电力有限公司的横空出世及超常规发展，给我国光伏产业带来了前所未有的发展机遇和示范效应。自２００２年起，我国太阳能 市场发展 迅速。
２００６年，我国太阳能电池产量达到４３８ＭＷＰ，占世界总产量的１７．１％，超过美国成为全球第三大生产国；２００７年，我国太阳能电池产量达１０８８ＭＷＰ，超过日本和欧洲，成为世界第一大太阳能电池生产国。
２００３－２００７年５年间，世界太阳能电池的平均增长速度为３５％，而中国太阳能电池年平均增长速度高达１５０％。
快速发展的太阳能电池 行业 使国内掀起一股投资多晶硅热。业内人士认为，随着新建多晶硅项目的投产，多晶硅的紧缺局面应在２００７年年底得到缓解。但２００７年已经过去，多晶硅供应紧张的形势并没有得到缓解。根据目前的实际情况来看，多晶硅紧缺局面还将继续维持，多晶硅供应仍是限制我国太阳能电池产业快速发展的因素之一。
按照生产１ＭＷＰ太阳能电池需要１１吨多晶硅计算，目前我国自产多晶硅仅能满足８０ＭＷＰ的太阳能电池生产。统计数据显示，２００７年我国太阳能电池产量为１０８８ＭＷＰ，这意味着我国１００８ＭＷＰ太阳能电池生产所用多晶硅依赖于进口或其他途径解决。
供需严重不平衡，导致今年以来我国多晶硅产品价格一路飙升。２００１－２００３年，我国多晶硅的现货价格为２５－４０美元／公斤，２００６年又猛涨至２００美元／公斤，２００７年价格飚升至３００美元／公斤，而到２００８年年初，我国多晶硅的现货价格已经高达４００美元／公斤。多晶硅价格上涨幅度之快令人惊讶。
按照太阳能电池近５年来的复合增长率为３５％计算，２００７年全球共需多晶硅３．３７５万吨，２００８年则需４．５５万吨。考虑到技术进步导致的多晶硅用料减少，２００８年多晶硅需求仍将达到４．１万吨。由于新建多晶硅产能没有得到释放，全球八大多晶硅巨头供应的太阳能级多晶硅总量应在３万吨左右，２００８年多晶硅的供应缺口达万余吨。在这种情况下，只能寄望国内多晶硅企业能够早日释放产能，国内多晶硅产业出现发展拐点。
到目前为止，我国有近５０家公司正在新建、扩建和筹建以西门子改良法为技术路线的多晶硅生产线，总建设规模超过１０万吨，总投资将超过１０００亿元，其中一期规模超过４万吨，总投资超过４０亿元。一期建设基本上在２００６－２０１０年间开展，２００７－２０１１年建成投产。
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